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IGBT模塊局部鍍鎳2-6um



       IGBT模塊的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。
       IGBT模塊的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE（th）時，處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。



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